Les MOSFETs de puissance (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sont des dispositifs commandés en tension, contrairement aux transistors bipolaires (BJT) qui sont commandés en courant.
Ils nécessitent donc beaucoup moins de puissance de commande que les BJTs pour fonctionner.
Ces dispositifs sont non verrouillables (non-latching), ce qui signifie qu’ils restent en conduction uniquement tant qu’une tension est appliquée entre la grille et la source (V<sub>GS</sub>) — un comportement similaire à celui d’un BJT nécessitant un courant de base continu.
Cependant, les MOSFETs se distinguent par leur vitesse de commutation exceptionnelle, bien supérieure à celle de tout autre interrupteur de puissance, pouvant atteindre des fréquences de fonctionnement de l’ordre du mégahertz (MHz).
Il existe deux principaux types de MOSFETs :
Un MOSFET est un composant électronique à quatre bornes :
En pratique, la borne du corps est souvent reliée à la source, ce qui réduit le nombre de bornes accessibles à trois (G, D et S).
La figure 13 illustre la structure et le symbole d’un MOSFET à canal N de type enrichissement.
Ce composant est constitué d’un substrat en matériau de type p, dans lequel sont implantées deux régions fortement dopées de type n⁺, formant respectivement le drain et la source.