Transistors bipolaires à jonction (BJT)

Les transistors bipolaires à jonction (BJT) possèdent une longue et riche histoire d’applications dans le domaine de l’électronique.

Ils sont largement utilisés à la fois pour l’amplification et pour le commutateur électronique.

En électronique de puissance, les BJTs sont appréciés pour leurs capacités à supporter de fortes puissances, des tensions et courants élevés, ainsi que pour :

• leurs temps de commutation courts (mise en conduction et blocage rapides),
• leur faible chute de tension en conduction,
• et leur courant de fuite très faible en mode bloqué.

Ainsi, les BJTs sont principalement employés comme interrupteurs électroniques dans les circuits de puissance.

Structure d’un BJT

Un transistor bipolaire à jonction (BJT) est un composant semi-conducteur constitué de trois couches alternées de matériaux de type p et n, et comportant trois bornes :

• l’émetteur (E),
• la base (B),
• et le collecteur (C).

Il existe deux types de BJT, différenciés par l’ordre de disposition des couches :

1. Transistor NPN :
   • L’émetteur et le collecteur sont constitués de matériau de type n,
   • La base est constituée de matériau de type p.
2. Transistor PNP :
   • L’émetteur et le collecteur sont constitués de matériau de type p,
   • La base est constituée de matériau de type n.

Un BJT possède donc deux jonctions PN :

• la jonction base-émetteur (BEJ),
• et la jonction collecteur-base (CBJ).